IM Flash Technologies (IMFT), spółka firm Intel i Micron opracowała 25-nanometrowy proces technologiczny do produkcji pamięci NAND Flash.
Wprowadzenie nowego procesu umożliwi zwiększenie pojemności pamięci w popularnych urządzeniach konsumenckich, takich jak smartfony, osobiste odtwarzacze muzyki i multimediów (PMP) oraz w nowej klasie bardzo wydajnych dysków SSD. Inżynierom udało się uzyskać 8 gigabajtów pamięci w pojedynczym module NAND. Pojedynczy moduł mierzy zaledwie 167 mm kwadratowych, to mniej więcej tyle samo co otwór w płycie CD, a mimo to zawiera ponad 10 razy więcej danych niż standardowa płyta.
25-nanometrowy moduł NAND o pojemności 8 GB jest już dostępny w postaci próbek inżynierskich i ma wejść do masowej produkcji w drugim kwartale 2010 roku. Oferuje najwyższą gęstość pamięci w pojedynczej kości multi-level cell (MLC) z dwoma bitami na komórkę i mieści się w standardowej obudowie thin small-outline package (TSOP). Aby zwiększyć pojemność pamięci, można w jednej obudowie ułożyć wiele urządzeń 8 GB jedno na drugim. Nowe 8-gigabajtowe urządzenie zmniejsza liczbę układów o 50 procent w porównaniu z poprzednimi generacjami technologicznymi, co przekłada się na mniejsze, bardziej zagęszczone konstrukcje i oszczędność kosztów. Na przykład dysk SSD o pojemności 256 GB można teraz zbudować z 32 takich urządzeń (poprzednio 64), w smartfonie o pojemności 32 GB wystarczy zastosować cztery, a w karcie pamięci o pojemności 16 GB, zaledwie dwa.